如果把芯片比作一幅平面雕刻作品，那么光刻機(jī)是打草稿的畫(huà)筆，刻蝕機(jī)則是雕刻刀，沉積的薄膜則是用來(lái)雕刻的材料。光刻的精度直接決定了元器件刻畫(huà)的尺寸，刻蝕和薄膜沉積的精度則決定了光刻的尺寸能否實(shí)際加工，而為了將芯片電路圖從掩模轉(zhuǎn)移到晶圓上，以實(shí)現(xiàn)預(yù)定的芯片功能，刻蝕工藝是其中重要的一環(huán)。

在芯片制造中，光刻和刻蝕是兩個(gè)精密相連的步驟，刻蝕的前道工序是光刻，通過(guò)光刻膠將電路圖顯影在晶圓上，之后再利用刻蝕的方法去除沒(méi)有光刻膠覆蓋的膜層部分，即完成了圖形從掩模到晶圓的轉(zhuǎn)移，為后續(xù)離子注入等步驟做好了準(zhǔn)備。

刻蝕原理是利用化學(xué)或物理方法選擇性的去除不必要材質(zhì)的一個(gè)過(guò)程?？涛g工序是在鍍膜、涂膠、光刻、顯影之后，通過(guò)刻蝕將暴露在晶圓表面不必要的薄膜材質(zhì)去除掉，留下所需的部分，然后再去除多余的光刻膠。多次重復(fù)上述步驟即可得到復(fù)雜構(gòu)造的集成電路。因?yàn)槭遣馁|(zhì)去除，所以將刻蝕稱為“減法工藝”。

根據(jù)工作原理不同，刻蝕最常見(jiàn)的分類就是干法刻蝕和濕法刻蝕，兩者的區(qū)別在于是否使用溶劑或溶液進(jìn)行刻蝕。其中，干法刻蝕市場(chǎng)占比超95%。

濕法刻蝕
浸入化學(xué)溶液中進(jìn)行腐蝕去除，這種方法具有成本低、刻蝕速度快和生產(chǎn)率高的優(yōu)勢(shì)；但會(huì)導(dǎo)致掩膜與刻蝕后的氧化膜不能完全對(duì)齊，因此難以保證制程線寬的精細(xì)度，導(dǎo)致良率下降。

干法刻蝕
干法刻蝕也被稱為等離子刻蝕，在半導(dǎo)體刻蝕中占主流地位。等離子體刻蝕機(jī)根據(jù)等離子體產(chǎn)生和控制技術(shù)的不同而大致分為兩大類，即電容耦合等離子體刻蝕（CCP）刻蝕機(jī)和電感耦合等離子體（ICP）刻蝕機(jī)。CCP刻蝕機(jī)主要用于電介質(zhì)材料的刻蝕工藝，ICP刻蝕機(jī)主要用于硅刻蝕和金屬刻蝕，亦稱為導(dǎo)體刻蝕機(jī)。介質(zhì)刻蝕的對(duì)象是氧化硅、氮化硅、二氧化鉿等介質(zhì)材料，而導(dǎo)體刻蝕的對(duì)象包括硅材料（單晶硅、多晶硅和硅化物等）和金屬材料（鋁、鎢等）。

刻蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)可以分為主體和附屬設(shè)備兩大部分。其中刻蝕設(shè)備主體包括EFEM（設(shè)備前端），TM（傳輸模塊），PM（工藝模塊）三大模塊；附屬設(shè)備則是為以上三大模塊提供保障支持，布局相對(duì)獨(dú)立于機(jī)臺(tái)主體。

隨著集成電路制造對(duì)單個(gè)刻蝕設(shè)備產(chǎn)能需求的提升，單個(gè)刻蝕機(jī)的反應(yīng)腔數(shù)量呈現(xiàn)出由少到多的趨勢(shì)。從一定意義上講搭載多個(gè)刻蝕反應(yīng)腔，可降低晶圓廠廠房的維護(hù)成本，降低單個(gè)設(shè)備的所占空間，能有效提高晶圓產(chǎn)能。但PM腔室數(shù)量增多后，會(huì)對(duì)EFEM前端模塊和TM運(yùn)輸模塊的裝載-運(yùn)輸過(guò)程提出新的要求。

隨著芯片特征尺寸的減小和鹵素類等離子體能量的逐漸提高，刻蝕工藝腔和腔體內(nèi)部件的耐等離子體刻蝕性能變得越來(lái)越重要，而陶瓷材料具有較好的耐腐蝕性能。等離子體刻蝕設(shè)備上采用陶瓷材料制作的部件主要有窗視鏡，氣體分散盤，噴嘴，絕緣環(huán)，蓋板，聚焦環(huán)和靜電吸盤等。

刻蝕機(jī)腔體

半導(dǎo)體制造過(guò)程中的腐蝕性等離子環(huán)境主要是等離子體清洗和等離子體刻蝕。此外，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積所使用的鹵素類等離子體也具有較強(qiáng)的腐蝕性。隨著半導(dǎo)體器件最小特征尺寸的不斷縮小，對(duì)晶圓缺陷的要求變得更加嚴(yán)格，為了避免金屬雜質(zhì)和顆粒的污染，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備腔體和腔體內(nèi)的部件材料提出了更加嚴(yán)格的要求。目前陶瓷材料已經(jīng)成為刻蝕機(jī)腔體的主要材料?？涛g機(jī)腔體內(nèi)耐等離子刻蝕陶瓷材料的主要特點(diǎn)是：

（1）純度要高，金屬雜質(zhì)含量少；

（2）主要組成成分化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，特別是與鹵素類腐蝕性氣體的化學(xué)反應(yīng)速率要低；（3）致密度高，開(kāi)口氣孔少；

（3）晶粒細(xì)小，晶界相含量少；

（4）具有優(yōu)良的機(jī)械性能，便于生產(chǎn)加工；

（6）某些部件可能還有其他性能要求，如良好的介電性能、導(dǎo)電性或?qū)嵝缘取?/span>
目前該類陶瓷材料主要涵蓋石英、碳化硅、氮化鋁、氧化鋁、氮化硅、氧化釔等。

靜電吸盤

晶圓溫度分布的均勻性是影響晶圓刻蝕速率和刻蝕均勻性的重要因素，靜電吸盤在控制晶圓溫度方面起著關(guān)鍵作用。靜電吸盤的內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要包括介電層、加熱層和基座。AlN和SiC因?yàn)榫哂休^高的熱導(dǎo)率，都可以用于制作靜電吸盤的介電層。雖然在含氟等離子體中AlN比SiC的耐等離子體刻蝕性能更優(yōu)異，但SiC與含氟等離子反應(yīng)生成的氟化物易揮發(fā)，可以通過(guò)真空系統(tǒng)排除，不會(huì)對(duì)芯片造成刻蝕污染。

目前國(guó)內(nèi)，中國(guó)在半導(dǎo)體靜電吸盤領(lǐng)域已經(jīng)有了一定的技術(shù)突破，中國(guó)大陸企業(yè)北京華卓精科科技有限公司、廣東海拓創(chuàng)新精密設(shè)備科技有限公司已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)，浙江新納陶瓷新材有限公司自主研發(fā)的半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備用大尺寸氧化鋁陶瓷靜電吸盤被浙江經(jīng)濟(jì)和信息化廳認(rèn)定為浙江省首臺(tái)（套）產(chǎn)品，并已生產(chǎn)。
國(guó)外企業(yè)包括美國(guó)Applied Materials、美國(guó)Lam Research、日本SHINKO、日本TOTO、日本NTK等公司，全球前五大制造商市占率超過(guò)80%。

聚焦環(huán)

聚焦環(huán)的作用是提供均衡的等離子，要求與硅晶圓有相似的電導(dǎo)率。以往采用的材料主要是導(dǎo)電硅，但是含氟等離子體會(huì)與硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的氟化硅，大大縮短其使用壽命，導(dǎo)致部件需要頻繁更換，降低生產(chǎn)效率。SiC與單晶Si有相似的電導(dǎo)率，而且耐等離子體刻蝕性能更好，可以作為聚焦環(huán)的使用材料。

據(jù)媒體報(bào)道，三星電子正在研發(fā)取代碳化硅聚焦環(huán)的新材料。業(yè)界消息指出，硬度表現(xiàn)優(yōu)秀的碳化硼成為三星有力備選方案。三星為將B4C打造成新一代聚焦環(huán)材料，正在進(jìn)行相關(guān)研發(fā)。

窗視鏡

刻蝕機(jī)上的窗視鏡材料要求透光率高，開(kāi)始采用的是石英玻璃材料，但容易被腐蝕得模糊不清，之后被Al₂O₃材料替代。但是隨著含氟等離子體的應(yīng)用，Al₂O₃的耐腐蝕性能也逐漸滿足不了批量生產(chǎn)的需求，因?yàn)?/span>Al₂O₃中的Al與氟離子反應(yīng)會(huì)生成Al–F化合物，然后沉積結(jié)晶形成顆粒雜質(zhì)，容易污染晶圓。Y₂O₃透明陶瓷在含氟等離子體中表現(xiàn)出非常好的耐腐蝕性能，但其燒結(jié)性能差，生產(chǎn)成本高，且機(jī)械性能較差，難加工，實(shí)用性受到限制。YAG透明陶瓷透光率高，對(duì)含氟等離子體的耐腐蝕性能與氧化釔相似，而且機(jī)械性能更加優(yōu)異，是比較理想的替代材料。

蝕刻環(huán)
SiC刻蝕環(huán)作為半導(dǎo)體材料在等離子刻蝕環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵耗材，其純度要求極高。一般只能采用CVD工藝進(jìn)行生長(zhǎng)SiC厚層塊體，隨后經(jīng)精密加工而制得，主要用于半導(dǎo)體刻蝕工藝的制備環(huán)節(jié)。長(zhǎng)期以來(lái)，圍繞半導(dǎo)體及其配套材料的發(fā)展一直是我國(guó)生產(chǎn)制造中的薄弱環(huán)節(jié)，但因其技術(shù)壁壘高，長(zhǎng)期被美、日、德等國(guó)所壟斷，一直是被“卡脖子”的關(guān)鍵材料之一。

絕緣環(huán)

陶瓷材料在多數(shù)情況下是優(yōu)良的絕緣體，尤其是氮化硅陶瓷具有絕緣性、耐高溫、抗腐蝕性、壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。因此可制備成在嚴(yán)苛的工作條件下對(duì)絕緣性要求較高的絕緣環(huán)。與氧化鋁陶瓷絕緣環(huán)相比，氮化硅陶瓷絕緣環(huán)耐溫更高、強(qiáng)度更大，具有強(qiáng)的熱穩(wěn)定性，使用壽命可延長(zhǎng)大約10倍以上，在很大的程度上可降低生產(chǎn)成本、節(jié)約操作時(shí)間。

氣體噴嘴

等離子清洗工序中，會(huì)使用含有反應(yīng)性較高的氟系、氯系等鹵族元素的腐蝕性氣體。氣體噴嘴通常由氧化鋁陶瓷制備，要求具有高等離子電阻、介電強(qiáng)度以及對(duì)工藝氣體和副產(chǎn)品的強(qiáng)耐腐蝕性高等性能，同時(shí)內(nèi)部具有精密孔結(jié)構(gòu)用以精確控制氣體流量。

近年來(lái)，5G、AIoT等新興技術(shù)合力推動(dòng)下，產(chǎn)業(yè)智能化進(jìn)程加速，下游應(yīng)用市場(chǎng)需求迸發(fā)，拉動(dòng)著全球半導(dǎo)體需求放量上漲，反向驅(qū)動(dòng)上游半導(dǎo)體制造設(shè)備需求和技術(shù)更迭。據(jù)方正證券報(bào)告預(yù)計(jì)，全球晶圓制造設(shè)備（WFE）市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到850億美元量級(jí)。SEMI預(yù)測(cè)2025年全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至155億美元（約合超1000億元），CAGR約為5%。

目前全球刻蝕機(jī)市場(chǎng)大多被海外巨頭占據(jù)，呈現(xiàn)高度壟斷格局，泛林集團(tuán)，東京電子，應(yīng)用材料作為行業(yè)TOP3，2020年占近9成市場(chǎng)份額。在三巨頭中，泛林集團(tuán)深耕刻蝕領(lǐng)域多年，技術(shù)實(shí)力最強(qiáng)，市場(chǎng)份額最高，其產(chǎn)品覆蓋幾乎所有工藝種類。中國(guó)國(guó)內(nèi)企業(yè)中微公司，北方華創(chuàng)和屹唐半導(dǎo)體合計(jì)占據(jù)2.36%的市場(chǎng)份額，不及排名第四的日立高新或排名第五的韓國(guó)細(xì)美事，有著廣闊的成長(zhǎng)空間。

資料顯示，國(guó)內(nèi)刻蝕廠商近年來(lái)均呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)趨勢(shì)，雖規(guī)模與國(guó)際巨頭仍有差距，刻蝕機(jī)的國(guó)產(chǎn)化率已逐漸至20%左右，占晶圓制造設(shè)備價(jià)值量約21.59%。2020年到2022年，國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備企業(yè)在晶圓廠陸續(xù)取得工藝驗(yàn)證突破，在全球市場(chǎng)中的份額占比上升到約4%。

在2022年1-6 月的公開(kāi)招標(biāo)的項(xiàng)目中，國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備中標(biāo)占比已達(dá)到50%，但由于12寸晶圓廠大量設(shè)備采購(gòu)未進(jìn)行公開(kāi)招標(biāo)，中標(biāo)刻蝕設(shè)備中存在部分進(jìn)口翻新設(shè)備，故實(shí)際國(guó)產(chǎn)化率應(yīng)遠(yuǎn)低于50%。在大馬士革一體化刻蝕，側(cè)墻刻蝕，接觸孔刻蝕等高端工藝領(lǐng)域，進(jìn)口設(shè)備仍占據(jù)絕對(duì)多數(shù)，國(guó)產(chǎn)替代潛在市場(chǎng)空間依然非常廣闊。

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