前言：分析六和分析七的部分主要為目前國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的簡單介紹，具體情況，較好的公司將會在接下來的文章當(dāng)中做出具體分析，基本上覆蓋目前第三代半導(dǎo)體實(shí)力較強(qiáng)的企業(yè)。目前已經(jīng)做完三安光電、天岳先進(jìn)（山東天岳）、斯達(dá)半導(dǎo)、士蘭微、華潤微。計(jì)劃中將持續(xù)揚(yáng)杰科技和時代電氣的網(wǎng)上調(diào)研與分析(其他產(chǎn)業(yè)鏈公司在技術(shù)及產(chǎn)能以及財(cái)務(wù)情況存在問題較多不予分析）。當(dāng)然，目前該系列文章僅僅用于基本面分析，不提供投資建議,只能提供高估低估及市場情況的分析，至于目前的市場熱點(diǎn)、短線問題等等不在本系列也同樣不在本人的操作能力范圍之內(nèi)。望周知。

GaN器件產(chǎn)業(yè)在我國相對于國際企業(yè)尤其是日本企業(yè)有一定的差距，國產(chǎn)廠商在GaN 射頻領(lǐng)域相對弱勢，但已有不少廠商布局。GaN產(chǎn)業(yè)基本有很多企業(yè)和SiC企業(yè)是重合的，例如三安光電、GaN襯底龍頭同時也是SiC龍頭的天岳先進(jìn)，以及外延片的鳳凰光學(xué)等。具體產(chǎn)業(yè)鏈情況如下圖

目前

GaN襯底及外延片企業(yè)與SiC重合，目前國內(nèi)都是主要有天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、賽微電子、鳳凰光學(xué)，所以下面的GaN企業(yè)主要研究目前的GaN功率器件企業(yè)。

聞泰科技（600745）：持續(xù)高質(zhì)量研發(fā)，新型化合物半導(dǎo)體迎來廣闊空間

聞泰科技積極布局第三代半導(dǎo)體，氮化鎵已通過車規(guī)認(rèn)證測試并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。安世半導(dǎo)體在行業(yè)推出領(lǐng)先性能的第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件(GaN FET)，特別是在插電式混合動力汽車或純電動汽車中，氮化鎵技術(shù)是其使用的牽引逆變器的首選技術(shù)。目前公司的650V 氮化鎵（GaN）技術(shù)，已經(jīng)通過車規(guī)級測試，2021年開始交付給汽車客戶。SiC產(chǎn)品目前已經(jīng)交付了第一批晶圓和樣品。目前氮化鎵已推出硅基氮化鎵功率器件(GaN FET)，已通過車規(guī)認(rèn)證測試并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，碳化硅技術(shù)研發(fā)也進(jìn)展順利，碳化硅二極管產(chǎn)品已經(jīng)出樣。2020年安世宣布與Ricardo建立合作伙伴關(guān)系，為基于氮化鎵技術(shù)制成的電動汽車逆變器研發(fā)技術(shù)驗(yàn)證機(jī)，2021年3月，安世宣布與聯(lián)合汽車電子（UAES）就氮化鎵半導(dǎo)體達(dá)成全面合作伙伴關(guān)系，將共同開發(fā)使用GaN技術(shù)的電動汽車電源系統(tǒng)解決方案，打造基于GaN工藝的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。經(jīng)營整合的協(xié)同效應(yīng)推動安世集團(tuán)進(jìn)入了發(fā)展的歷史新階段。在產(chǎn)品普遍漲價的背景下公司加大研發(fā)優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，加強(qiáng)高毛利率產(chǎn)品包括邏輯、模擬、功率Mos等的產(chǎn)能和料號擴(kuò)充，目前100V以上的MOSFET料耗已經(jīng)超過100種，進(jìn)一步弱化了價格因素對公司業(yè)務(wù)的影響，保障長期增長的基礎(chǔ)。

立昂微（605358）：GaN芯片產(chǎn)能爬坡，規(guī)?；a(chǎn)正當(dāng)時

立昂東芯專業(yè)從事砷化鎵/氮化鎵微波射頻芯片研發(fā)與制造，在國內(nèi)較早建成了商業(yè)化射頻芯片生產(chǎn)線，目前正處于產(chǎn)能和銷量爬升的階段。投資子公司，布局年產(chǎn)36 萬片6 英寸砷化鎵/氮化鎵微波射頻集成電路芯片。其中包括年產(chǎn)18 萬片砷化鎵HBT（異質(zhì)結(jié)雙極晶體管）和pHEMT （贗高電子遷移率晶體管）芯片，年產(chǎn)12 萬片垂直腔面發(fā)射激光器VCSEL（垂直腔面激光器）芯片，年產(chǎn)6 萬片氮化鎵HEMT（高電子遷移率晶體管）芯片。五年內(nèi)分兩階段實(shí)施，各18 萬片/年。

士蘭微（600460）：GaN研發(fā)持續(xù)推進(jìn)，SiC中試線實(shí)現(xiàn)通線士蘭微2021Q1-3營業(yè)收入52.22 億元，同比增長76.18%；歸母凈利潤創(chuàng)歷史新高達(dá)7.23 億元，同比增加1543.39%，營業(yè)利潤和利潤總額均扭虧為盈。2021 年上半年進(jìn)展：硅基GaN 化合物功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)在持續(xù)推進(jìn)中SiC 功率器件的中試線已在二季度實(shí)現(xiàn)通線。未來計(jì)劃：盡快推出硅基GaN 功率器件以及完整的應(yīng)用。

芯導(dǎo)科技（688230）：開發(fā)硅基氮化鎵材料功率器件

公司IPO募資開發(fā)第三代半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵材料高電子遷移率功率器件。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)每年新增銷售第三代半導(dǎo)體GaN-on-Si HEMT功率器件7.44百萬顆。

斯達(dá)半導(dǎo)（688012）：刻蝕設(shè)備領(lǐng)跑者，LED 氮化鎵基MOCVD 設(shè)備制造商

斯達(dá)半導(dǎo)半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)實(shí)力突出，已在全球氮化鎵基LED MOCVD市場中占據(jù)領(lǐng)先地位。研發(fā)用于“硅基氮化鎵功率器件大規(guī)模生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備及外延生長工藝。持股山東天岳持股0.99%。公司將在南昌大規(guī)模制造具有自主知識產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備，打造成為全球最重要、規(guī)模最大的高端MOCVD裝備制造基地，推進(jìn)在南昌開展MOCVD相關(guān)的基礎(chǔ)科學(xué)研究和第三代半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)，逐步將南昌中微打造成世界級MOCVD研發(fā)、制造及創(chuàng)新中心；積極促進(jìn)三安光電生產(chǎn)基地及上下游供應(yīng)鏈企業(yè)落戶南昌，形成半導(dǎo)體高端設(shè)備制造的產(chǎn)業(yè)集群。

總體而言，目前在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域我國國內(nèi)的基本現(xiàn)狀是，在技術(shù)上與國際先進(jìn)水平有0.5代左右的差距。但是我國在第三代半導(dǎo)體的布局呈現(xiàn)著百花齊放的局面。而在我國的這些企業(yè)當(dāng)中，三安光電是目前的國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體龍頭企業(yè)，涉及目前的第三代半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)全部的位置，同時也是目前國內(nèi)出貨量最大的企業(yè)。在SiC和GaN產(chǎn)業(yè)上游的襯底生產(chǎn)企業(yè)當(dāng)中，目前山東天岳（天岳先進(jìn)）是目前國內(nèi)出貨量最大，制程最為先進(jìn)的襯底生產(chǎn)企業(yè)。外延片企業(yè)則是賽微電子和鳳凰光學(xué)為目前出貨量最多的企業(yè)，但是目前在該位置的技術(shù)含量較低，天花板不高。在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)企業(yè)中，斯達(dá)半導(dǎo)體、新潔能以及楊杰科技的進(jìn)度最快。在GaN產(chǎn)業(yè)鏈的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)當(dāng)中，目前以聞泰科技和立昂微的進(jìn)展速度最快。所以針對現(xiàn)在的基本情況，本文著重對三安光電進(jìn)行詳細(xì)分析。針對天岳先進(jìn)、斯達(dá)半導(dǎo)體剛上市，信息較少，較為簡單進(jìn)行一定分析。其他順帶分析，在后期的半導(dǎo)體元器件設(shè)計(jì)及生產(chǎn)企業(yè)的分析當(dāng)中再進(jìn)行著重分析。

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