多層陶瓷基板技術(shù)源于20世紀(jì)50年代末期美國無線電（RCA）公司開發(fā)，現(xiàn)行的基本工藝技術(shù)（用流延法的生片制造技術(shù)、過孔形成技術(shù)和多層疊層技術(shù)）在當(dāng)時(shí)就已被應(yīng)用。多層陶瓷基板技術(shù)分為高溫共燒陶瓷技術(shù)（HTCC，HighTemperature co-fired Ceramic）和低溫共燒陶瓷技術(shù)（LTCC，Low Temperature co-fired Ceramic）。本文將介紹HTCC技術(shù)及應(yīng)用。

一、什么是HTCC技術(shù)

20世紀(jì)80年代初，IBM公司商業(yè)化的主計(jì)算機(jī)的電路板（基板：33層和100倒裝芯片粘結(jié)大規(guī)模集成電路器件）采用多層陶瓷基板技術(shù)，因?yàn)檫@些多層基板是用氧化鋁絕緣材料和導(dǎo)體材料（Mo、W、Mo-Mn）在1600℃的高溫下共燒的，故而成為高溫共燒陶瓷（HTCC），以區(qū)別于后來開發(fā)的低溫共燒陶瓷。

高溫共燒陶瓷HTCC通常采用金屬材料為鎢、鉬、錳等高熔點(diǎn)金屬，按照電路設(shè)計(jì)要求，印刷于氧化鋁/氮化鋁/莫來石（相對較少）陶瓷生坯上，然后多層疊合，在1650～1850℃的高溫下共燒成一體。

二、HTCC與LTCC的差異

HTCC與低溫共燒陶瓷技術(shù)（LTCC）制程相比較，二者陶瓷共燒溫度、材料以及金屬漿料選型有顯著差別，此外，在燒結(jié)制程中，LTCC通常在空氣氣氛下共燒，而HTCC采用氫氣氣氛，保護(hù)W、Mo金屬漿料不被氧化。

三、HTCC技術(shù)的應(yīng)用

高溫共燒陶瓷產(chǎn)品主要有陶瓷多層基板、陶瓷封裝管殼、UVLED支架、VCSEL支架、各類加熱片、散熱電橋等，主要用于微波器件封裝、大規(guī)模集成電路封裝、混合集成電路封裝、光電器件封裝、SMD封裝、LED芯片封裝、半導(dǎo)體封裝等多個(gè)封裝領(lǐng)域。HTCC陶瓷基板燒結(jié)溫度高，可以與可伐合金等金屬材料進(jìn)行一體化燒結(jié)，制成HTCC封裝外殼，大大節(jié)約了布線空間。

由于高溫共燒陶瓷HTCC具有結(jié)構(gòu)強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性好和布線密度高等優(yōu)點(diǎn)，在熱穩(wěn)定性要求更高、高溫?fù)]發(fā)性氣體要求更小、密封性要求更高的發(fā)熱及封裝領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

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